聯(lián)系我們
- 聯(lián)系人 : 王建峰
- 聯(lián)系電話 : 0571-88073720 0571-86984986
- 傳真 : 0571-86894985
- 移動電話 : 13858065668
- 地址 : 浙江省杭州市西湖區(qū)西溪世紀(jì)中心2幢249室
- Email : jeffreywang@taihao-hz.cn
- 郵編 : 310012
- 公司網(wǎng)址 : http://m.gorich-trading.cn
- QQ : 99864662
- 聯(lián)系人 : 趙彬山
- 聯(lián)系電話 : 0571-86984986
- 傳真 : 0571-86894985
- 移動電話 : 13675884845
- 地址 : 浙江省杭州市西湖區(qū)西溪世紀(jì)中心2幢249室
- Email : binsuns@taihao-hz.cn
- 郵編 : 310000
- 公司網(wǎng)址 : http://m.gorich-trading.cn
文章詳情
半導(dǎo)體行業(yè)的真空控制方案
日期：2025-09-26 05:53
瀏覽次數(shù)：333
摘要：
在半導(dǎo)體制造中，英福康的真空控制產(chǎn)品可應(yīng)用于各種工藝步驟，確保精準(zhǔn)控制零件及設(shè)備生產(chǎn)所必需的真空條件。
并且，我們的產(chǎn)品技術(shù)在全球范圍的眾多客戶處都得到應(yīng)用與印證，是能夠幫助企業(yè)提高生產(chǎn)力、效率、正常運(yùn)行時間和產(chǎn)量的很好方案。
晶體拉制
在晶體拉制過程中，英福康的電容真空計系列可以控制拉制腔內(nèi)的工藝壓力，從而生長出無瑕的硅晶體。這種精準(zhǔn)的壓力控制對于實(shí)現(xiàn)*佳晶體生長至關(guān)重要，并有助于提高半導(dǎo)體材料的質(zhì)量和純度。
氧化/柵極電介質(zhì)和離子注入 ...
在半導(dǎo)體制造中，英福康的真空控制產(chǎn)品可應(yīng)用于各種工藝步驟，確保精準(zhǔn)控制零件及設(shè)備生產(chǎn)所必需的真空條件。
并且，我們的產(chǎn)品技術(shù)在全球范圍的眾多客戶處都得到應(yīng)用與印證，是能夠幫助企業(yè)提高生產(chǎn)力、效率、正常運(yùn)行時間和產(chǎn)量的很好方案。
晶體拉制
在晶體拉制過程中，英福康的電容真空計系列可以控制拉制腔內(nèi)的工藝壓力，從而生長出無瑕的硅晶體。這種精準(zhǔn)的壓力控制對于實(shí)現(xiàn)*佳晶體生長至關(guān)重要，并有助于提高半導(dǎo)體材料的質(zhì)量和純度。
氧化/柵極電介質(zhì)和離子注入
在氧化/柵極電介質(zhì)和離子注入等工藝中，英福康的真空控制產(chǎn)品可確保穩(wěn)定的真空環(huán)境。電容真空計系列可監(jiān)控工藝壓力，而皮拉尼真空計和冷陰極真空計則可提供全系統(tǒng)壓力控制。這種細(xì)致的調(diào)節(jié)對于獲得理想的材料特性和摻雜精度至關(guān)重要，從而直接影響到半導(dǎo)體器件的性能。
光刻技術(shù)
在光刻工藝中，英福康真空控制解決方案（包括電容真空計和皮拉尼真空計）以及熱離子真空計和冷陰極真空計可實(shí)現(xiàn)工藝系統(tǒng)內(nèi)精準(zhǔn)的壓力控制。
真空元件可確保無泄漏連接，有助于提高光刻工藝的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。
蝕刻
在蝕刻工藝中，英福康的真空控制產(chǎn)品，特別是電容式真空計，可調(diào)節(jié)工藝壓力，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的材料去除。電容計、皮拉尼計、熱離子計和冷陰極的組合則可實(shí)現(xiàn)全系統(tǒng)的壓力控制，以確保蝕刻的一致性和高工藝可重復(fù)性。
此外，采用了光學(xué)氣體分析裝置的 Augent® OPG550 能夠監(jiān)測蝕刻過程中使用的氣體成分，進(jìn)一步確保工藝穩(wěn)定性和精準(zhǔn)的材料去除。
CVD、PVD、ALD、EPI 和 RTP
在 CVD、PVD、ALD、EPI 和 RTP 等工藝中，英福康的真空控制產(chǎn)品在調(diào)節(jié)工藝壓力、確保材料精準(zhǔn)沉積和開發(fā)方面發(fā)揮著重要作用。
電容真空計系列可監(jiān)控過程壓力，而熱離子計、冷陰極和真空配件則有助于進(jìn)行穩(wěn)定的系統(tǒng)壓力控制，提高過程均勻性和設(shè)備性能。我們的光學(xué)氣體分析儀 Augent® OPG550 能夠監(jiān)控材料沉積過程中的氣體成分，確保*佳條件。
